产品详情：
1. 镀膜室极限真空度: 可选优于5E-8、5E-9、9E-10托
2. 从大气抽至9.9E-7托时间小于30分钟
3. 基片通过预真空室装样后，镀膜室10内分钟恢复原真空度
4. 系统关机12小时后镀膜室保持真空度优于E-2托
5. 可选基片尺寸：4、6、8、12寸
6. 适于LIFT-OFF工艺镀膜
7. 膜厚均匀性：
（1）4英寸晶圆内优于±2%
（2）6英寸晶圆内优于±3%
（3）8英寸晶圆内优于±4%
（4）12英寸晶圆内优于±5%
8. 速率显示分辨率：0.01埃/秒，膜厚显示分辨率：0.1埃
9. 可选基片GLAD倾角±90度，可选0-20RPM自转
10.可选基片加热至600℃、950℃，控温精度:±1度,可选0-20RPM自转
11.可选基片液氮冷却至零下150度,可选控温精度±2℃,可选0-20RPM自转
12.LOAD LOCK极限真空度: 可选优于5E-7、5E-8托

典型应用：
用于LIFT-OFF工艺镀膜
用于GLAD工艺镀膜
可蒸镀金属，半导体或介质材料
可蒸镀铁钴镍等磁性材料
可蒸镀单层、多层膜或共蒸合金薄膜
用于量子科学、超导材料、约瑟夫结、半导体、碳基器件、
石墨烯等二维半导体材料、光电微纳器件、生物薄膜及其
他材料薄膜沉积